PTF210451E V1
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
PTF210451E V1 datasheet
-
МаркировкаPTF210451E V1
-
ПроизводительInfineon Technologies
-
ОписаниеInfineon Technologies PTF210451E V1 Product Category: Transistors RF MOSFET Power RoHS: yes Configuration: Single Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 65 V Continuous Drain Current: 1 uA Gate-Source Breakdown Voltage: - 0.5 V, + 12 V Maximum Operating Temperature: + 150 C Package / Case: 30265 Minimum Operating Temperature: - 40 C Mounting Style: SMD/SMT Power Dissipation: 175 W Resistance Drain-Source RDS (on): 0.2 Ohms Factory Pack Quantity: 1
-
Количество страниц10 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
28.05.2024
27.05.2024
26.05.2024